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【澳门威斯尼斯wns888】对可控开关器件傻傻分不清这篇文章让你不再困惑

2024-05-28 00:44:04
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本文摘要:你否看到这些高效率电源器件傻傻的分不清呢?

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你否看到这些高效率电源器件傻傻的分不清呢?你是不是知道爱人这些器件呢?可我们不懂它,又怎么称之为的上爱它呢?那竟然我们走出它们,理解它们。下面我们从器件对启动时信号波形的拒绝、电源频率、单双极、主要优、缺点方面考虑到,七种高效率电源器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。  BJT:电流型全控器件;于是以持续基极电流掌控通车,基极电流为0则变频器;电源频率高;双近于;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率较低。

      SCR:电流型半触器件;于是以脉冲门近于电流掌控通车,启动时信号无法掌控开断;电源频率较低;双近于;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率较低。    GTO:电流型全控器件;于是以脉冲门近于电流掌控通车,胜脉冲门近于电流(较小)掌控变频器;电源频率较低;双近于;主要优点:通态压降小,通态损耗小;主要缺点:驱动功率大,频率较低。    P-MOSFET:电压型全控器件;于是以持续栅极电压掌控通车,胜持续栅极电压掌控并维持变频器;电源频率低;单极;主要优点:输入阻抗低,驱动功率小,驱动电路非常简单,工作频率低;主要缺点:通态压降大(通态损耗大),电流、电压额定较低。

    IGBT:电压型全控器件;于是以持续栅极电压掌控通车,胜持续栅极电压掌控并维持变频器;电源频率较高;双近于;主要优点:输入阻抗低,驱动功率小,驱动电路非常简单,工作频率低;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。    MCT:电压型全控器件;于是以脉冲电压掌控通车,胜脉冲电压掌控变频器;电源频率较高(高于IGBT);双近于;主要优点:输入阻抗低,驱动功率小,驱动电路非常简单,工作频率低;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。    SIT:电压型全控器件;持续电压掌控折断、合;电源频率低;单极;主要优点:输入阻抗低,驱动功率小,驱动电路非常简单,工作频率低;主要缺点:通态压降大(通态损耗大)。


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